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SK하이닉스는 기존 제품보다 4배 이상 빠르고 전력 소모도 40% 줄인 초고속 메모리(HBM) D램 반도체를 개발했다고 26일 발표했다. 고사양 그래픽 시장과 슈퍼컴퓨터 등에 응용될 것으로 예상된다.
이 회사는 미국의 AMD와 함께 초당 128GB의 데이터를 처리할 수 있는 TSV(실리콘통관전극)에 기반을 둔 초고속 D램(HBM)을 개발하는 데 성공했다.
HBM은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 표준화를 진행 중인 고성능, 저전력, 고용량 D램 제품이다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있다. 특히 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다.
초당 28GB의 데이터를 처리하는 GDDR5보다 4배 이상 빠르며, 전력소비는 40% 가량 낮춘 것이 특징이다.
