새로운소식
글 수 5,813
SK하이닉스가 세계 최초 최대용량 128GB DDR4 D램 모듈 개발에 성공했다. 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 용량과 속도, 전력 소모량을 모두 개선했다.
SK하이닉스(대표 박성욱)는 세계 최초로 20나노급 8Gb DDR4 기반 최대용량 128GB D램 모듈을 개발했다고 7일 밝혔다.
이 제품은 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 기존 최고 용량 64GB의 두 배에 이르는 최대용량을 구현했다. 속도도 1333Mbps인 DDR3의 데이터 전송속도보다 빠른 2133Mbps를 구현했고 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB 속도로 데이터를 처리할 수 있다. 동작전압도 기존 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮췄다.
SK하이닉스는 최근 8Gb DDR4 기반 64GB 모듈에 이어 128GB까지 세계 최초로 연속 개발해 서버용 D램 시장에서도 기술 리더십을 이어 나가게 됐다고 설명했다. SK하이닉스는 이 제품을 내년 상반기부터 양산할 계획이다.
